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  • 型号: BSZ180P03NS3E G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ180P03NS3E G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ180P03NS3E G价格参考。InfineonBSZ180P03NS3E G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ180P03NS3E G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ180P03NS3E G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8MOSFET P-Channel -30V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 39.6 A

Id-连续漏极电流

- 39.6 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ180P03NS3E GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050

产品型号

BSZ180P03NS3E G

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

20 nC

Qg-栅极电荷

20 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

18 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.9 V

上升时间

11 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.9V @ 48µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2220pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

其它名称

BSZ180P03NS3EGATMA1
SP000709740

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

2.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TSDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

正向跨导-最小值

18 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta), 39.5A (Tc)

系列

BSZ180P03

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSZ180P03NS3EGATMA1 SP000709740

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