数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ180P03NS3E G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ180P03NS3E G价格参考。InfineonBSZ180P03NS3E G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ180P03NS3E G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ180P03NS3E G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8MOSFET P-Channel -30V MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 39.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 39.6 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ180P03NS3E GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 |
产品型号 | BSZ180P03NS3E G |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 20 nC |
Qg-栅极电荷 | 20 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.9 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.9V @ 48µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2220pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
其它名称 | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | TSDSON-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 5,000 |
正向跨导-最小值 | 18 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
系列 | BSZ180P03 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | BSZ180P03NS3EGATMA1 SP000709740 |